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文件名称:衬底驱动MOS技术在低压模拟集成电路设计中的创新与实践.docx
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总页数:25 页
更新时间:2025-10-08
总字数:约3.05万字
文档摘要
衬底驱动MOS技术在低压模拟集成电路设计中的创新与实践
一、引言
1.1研究背景与意义
随着科技的飞速发展,集成电路在现代电子系统中扮演着举足轻重的角色,其应用领域涵盖了从消费电子到工业控制,从通信设备到医疗仪器等众多方面。在过去的几十年里,集成电路技术取得了显著的进步,芯片的集成度不断提高,特征尺寸持续缩小,这使得电子产品的性能得到了极大提升,同时成本也不断降低。
在集成电路的发展进程中,低压模拟集成电路设计逐渐成为研究的焦点。这主要归因于多方面的因素。一方面,随着便携式电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等的广泛普及,对电池续航能力提出了更高的要求。采用低压供电的模拟集成电路可以显