超深亚微米PMOSFET器件NBTI效应的多维度解析与应对策略研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，芯片作为现代电子设备的核心部件，其尺寸不断缩小，性能不断提升。在超深亚微米技术节点下，晶体管的特征尺寸已进入纳米量级，这使得芯片能够集成更多的功能，提高运算速度和降低功耗。然而，随着尺寸的缩小，晶体管面临着诸多可靠性挑战，其中负偏压温度不稳定性（NegativeBiasTemperatureInstability，NBTI）效应成为影响超深亚微米PMOSFET器件性能和寿命的关键因素之一。

NBTI效应是指在PMOSFET器件的栅极施加负偏压且处于高温环