（2）VGSVT,而VDS仍为较小的电压在栅极与衬底之间产生一个垂直电场（方向为由栅极指向衬底），它使漏-源之间的P型硅表面感应出电子层（即N型层，也称为反型层）。当大于开启电压该电子层使两个N+区连通，形成N型导电沟道，d-s间呈现低阻，所以在的作用下将可能产生漏极电流导电沟道越厚，d-s间等效电阻越小（3）VGSVT且足够大时,同时加上VDS电压该情况下，在一定的VDS范围，随着VGS电压的增加，ID电流也跟着增大。体现出线性的变化，如图所示。在VGSVT时，VDS对增强型N-MOSFET的影响0VDSVGS-VTVDS=VGS-VTVDS