基本信息
文件名称:《集成电子技术基础教程 第4版 (上册)》 课件 第3章 半导体器件结构、特性和模型-1.ppt
文件大小:2.32 MB
总页数:25 页
更新时间:2025-10-07
总字数:约1.41千字
文档摘要
第3章半导体器件的结构、特性和模型
*3.1半导体与PN结3.2半导体二极管1.半导体二极管的结构3.2.1半导体二极管的结构和特性点接触型(b)、面结合型(c)、平面型二极管(d)按材料分类有:硅二极管和锗二极管2、二极管主要特性伏安特性开启电压(门坎电压)Vth硅管为0.5V,锗管为0.1V。在恒压区,硅管导通压降为0.6V-0.8V;锗管为0.2-0.3V(1)正向特性:(2)反向特性
承受反向电压(小于击穿电压V(BR),)反向电流很小
硅管为nA数量级;锗管为u