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文档摘要

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ZnO一维纳米结构：制备、调控与性能探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体材料领域，ZnO凭借其独特的物理化学性质，已成为研究和应用的焦点之一。作为一种宽带隙半导体材料，ZnO室温下的带隙宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV，这使得它在光电器件、传感器、催化剂等众多领域展现出巨大的应用潜力。与传统的块体材料相比，纳米结构的ZnO由于尺寸效应和高比表面积，呈现出更为优异的性能，其中一维纳米结构的ZnO，如纳米线、纳米棒和纳米管等，尤为引人注目。

一维纳米结构赋予ZnO独特的物理性质，如载流子的一维传输特性、增强的光学吸收与发射等，这些性质为高性能光电