基本信息
文件名称:新型Ⅲ-Ⅴ族光电子材料:理论探索与实验验证.docx
文件大小:37.75 KB
总页数:35 页
更新时间:2025-10-09
总字数:约3.26万字
文档摘要
新型Ⅲ-Ⅴ族光电子材料:理论探索与实验验证
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代科技飞速发展的浪潮中,光电子领域作为信息技术的重要支撑,正发挥着愈发关键的作用。新型Ⅲ-Ⅴ族光电子材料凭借其独特的物理性质,在光电子领域占据了极为重要的地位,成为推动众多前沿技术进步的核心要素。
Ⅲ-Ⅴ族化合物是由元素周期表中Ⅲ族元素(如镓(Ga)、铟(In)、铝(Al)等)与Ⅴ族元素(如氮(N)、磷(P)、砷(As)、锑(Sb)等)化合形成的化合物半导体材料。这类材料具有诸多优异的光电性能,如较高的电子迁移率,像砷化镓(GaAs)、铟砷(InAs)的电子迁移率分别可达到9000cm2/(V?s