垂直耦合光学接口赋能硅基片上光互连器件及集成芯片的创新发展

一、引言

1.1研究背景与意义

在过去的几十年里，基于硅材料的微电子技术（CMOS，ComplementaryMetalOxideSemiconductor）取得了举世瞩目的成就，深刻地改变了人们生产生活的各个方面。CMOS技术遵循摩尔定律，芯片单位面积的三极管数量每24个月翻一倍，持续推动着信息技术的飞速发展。然而，随着器件尺寸不断缩小，传统电互连技术逐渐暴露出诸多问题，成为限制集成电路性能提升的瓶颈。例如，Intel的Nehalem-EX系列微处理器包含8个中央处理器核，片上多核互连带宽达到1.02