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文档摘要

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新型二维半导体及其异质结光电性质的多维度理论剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，光电子领域对高性能材料和器件的需求日益增长。新型二维半导体及其异质结作为一类具有独特物理性质的材料体系，在光电子领域展现出了巨大的应用潜力，引起了科学界和工业界的广泛关注。

新型二维半导体材料，如过渡金属二硫族化合物（TMDCs）、黑磷等，由于其原子级厚度和独特的晶体结构，表现出与传统三维半导体截然不同的光电特性。这些材料具有高载流子迁移率、强量子限域效应、可调节带隙等优点，为实现器件的小型化、高性能化提供了新的可能。例如，二维半导体的原子级厚度使其能够在保持优异电学性能的同时，极大地减小器