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文档摘要

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氧化锌薄膜：生长、掺杂与载流子输运行为的深度剖析

一、引言

1.1研究背景

在现代半导体材料的庞大体系中，氧化锌（ZnO）薄膜凭借其独特的物理性质和卓越的性能，占据着举足轻重的地位，成为材料科学领域的研究焦点之一。作为一种直接带隙的宽带隙半导体材料，ZnO室温下的禁带宽度高达3.37eV，激子束缚能更是达到了60meV，远高于其他常见半导体材料，如砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）。这一特性使得ZnO在室温下能够实现高效的激子发光，为其在发光器件领域的应用提供了得天独厚的优势。此外，ZnO还展现出良好的电学性能，其电阻率可通过掺杂等手段灵活调节，以契合不同器件对电导性能的多样