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文档摘要

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基于噪声分析的高k栅栈结构缺陷精准表征方法探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今半导体技术飞速发展的时代，高k栅栈结构凭借其独特的优势，在集成电路制造中占据了举足轻重的地位。随着集成电路器件尺寸的不断缩小，传统的二氧化硅（SiO?）栅介质因其自身特性的限制，已难以满足日益增长的性能需求。当SiO?栅介质厚度减薄到一定程度时，量子隧穿效应会导致栅极漏电流急剧增加，这不仅会大幅提高器件的功耗，还会严重影响器件的稳定性和可靠性。为了解决这些问题，高k栅栈结构应运而生。高k材料具有较高的介电常数，在保持相同等效氧化层厚度（EOT）的情况下，能够显著增加栅介质层的物理厚度，从而有效