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文件名称:纳米尺度下的电路基石:单电子晶体管建模与电路仿真的深度剖析.docx
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总页数:26 页
更新时间:2025-10-11
总字数:约3.2万字
文档摘要
纳米尺度下的电路基石:单电子晶体管建模与电路仿真的深度剖析
一、引言
1.1研究背景与意义
1.1.1纳米电子设备发展趋势
在当今科技飞速发展的时代,纳米电子设备已然成为推动信息技术进步的核心力量,在现代科技体系中占据着举足轻重的地位。随着社会对电子设备性能的要求日益严苛,纳米电子设备的发展呈现出鲜明的趋势。
最显著的便是尺寸的持续缩小。自半导体技术诞生以来,器件尺寸遵循着摩尔定律不断微缩。从早期的微米级,逐步迈入纳米级时代。以晶体管为例,在过去几十年间,其特征尺寸从最初的数微米减小到如今的几纳米,如目前先进制程工艺已实现5纳米甚至3纳米的晶体管尺寸。这种尺寸的急剧缩小,使得芯片上