集成抗ESDSOInLDMOS器件的关键技术与应用前景探究

一、引言

1.1研究背景

在现代电子技术飞速发展的背景下，电子设备的应用领域不断拓展，从日常生活中的智能手机、平板电脑，到工业控制、通信基站、航空航天等关键领域，电子设备无处不在。然而，随着电子设备的广泛应用，其面临的静电放电（ElectrostaticDischarge，ESD）危害问题日益凸显。ESD是指具有不同静电电位的物体相互靠近或直接接触引起的电荷转移，这种瞬间的电荷转移会产生极高的电压和电流，对电子设备中的集成电路、半导体器件等造成严重损害。

据相关研究统计，全球每年因ESD危害导致的电子设备故障和损坏造成的经