3nm以下GAAFET工艺在5G基站芯片中的应用前景分析报告模板

一、3nm以下GAAFET工艺在5G基站芯片中的应用前景分析报告

1.3nm以下GAAFET工艺的技术特点

1.1晶体管结构紧凑

1.2沟道电场强度高

1.3栅极氧化层薄

1.4工艺兼容性好

2.3nm以下GAAFET工艺在5G基站芯片中的应用现状

2.1芯片设计

2.2制造

2.3市场

3.3nm以下GAAFET工艺在5G基站芯片中的应用前景

3.1性能优势

3.2功耗降低

3.3尺寸减小

3.4市场潜力

二、3nm以下GAAFET工艺在5G基站芯片中的应用现状

2.1技术研发进展

2.2芯片设