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文件名称:脉冲激光沉积法制备掺钴氧化锌稀磁半导体薄膜的研究与性能分析.docx
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总页数:24 页
更新时间:2025-10-12
总字数:约3.19万字
文档摘要
脉冲激光沉积法制备掺钴氧化锌稀磁半导体薄膜的研究与性能分析
一、引言
1.1研究背景与意义
在信息技术飞速发展的今天,电子器件的性能提升和小型化成为了科研领域的关键目标。自旋电子学作为一门新兴学科,以其独特的电子自旋操控特性,为解决传统电子学面临的瓶颈问题带来了曙光。传统的半导体电子学主要基于电子的电荷属性进行信息处理和传输,而自旋电子学在此基础上,额外利用了电子的角动量——自旋,这一突破使得电子器件在速度、能耗和存储密度等方面展现出巨大的提升潜力。
稀磁半导体(DilutedMagneticSemiconductors,DMS)作为自旋电子学的核心材料,因其能够同时操控电子的电荷和