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文件名称:半导体器件物理I复习笔记教学文案.doc
文件大小:6.48 MB
总页数:26 页
更新时间:2025-10-13
总字数:约5.99千字
文档摘要

半导体器件物理I复习笔记

半一复习笔记

By潇然

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1.1平衡PN结的定性分析

1.pn结定义:在一块完整的半导体晶片(Si、Ge、GaAs等)上,用适当的掺杂工艺使其一边形成n型半导体,另一边形成p型半导体,则在两种半导体的交界面附近就形成了pn结

2.缓变结:杂质浓度从p区到n区是逐渐变化的,通常称为缓变结

3.内建电场:空间电荷区中的这些电荷产生了从n区指向p区,即从正电荷指向负电荷的电场

4.耗尽层:在无外电场或外激发因素时,pn结处在动态平衡,没有电流经过,内部电场E为恒定值,这时空间电荷区内没有载流子,故称为耗尽层

1.2平衡PN结的定量分析

1.平衡PN结载流子