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文件名称:130纳米SOI电路单粒子效应剖析与加固技术探索.docx
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更新时间:2025-10-13
总字数:约2.69万字
文档摘要

130纳米SOI电路单粒子效应剖析与加固技术探索

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子技术的飞速发展,集成电路在各个领域的应用日益广泛,尤其是在航空航天、军事等特殊环境中,对集成电路的性能和可靠性提出了更高的要求。130纳米SOI(Silicon-On-Insulator,绝缘体上硅)电路作为一种先进的集成电路技术,凭借其独特的结构和优异的性能,在这些领域中占据着重要的地位。SOI电路通过在硅衬底上生长一层绝缘层,将有源器件与衬底隔离,有效地减少了寄生电容和漏电流,提高了电路的速度、降低了功耗,并且增强了电路的抗干扰能力和可靠性。在航空航天领域,卫星、航天器等设备需要在复杂的空