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文档摘要

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分子束外延生长调控氧化物半导体材料光电特性的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电器件领域，氧化物半导体材料凭借其独特的物理性质和广泛的应用前景，成为了研究的焦点。这类材料具有宽禁带、高透明度、良好的化学稳定性以及独特的电学和光学特性，使其在发光二极管（LED）、光电探测器、太阳能电池、场效应晶体管等光电器件中展现出巨大的应用潜力。例如，氧化锌（ZnO）作为一种典型的氧化物半导体，室温下禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV，比氮化镓（GaN，24meV）高出许多，这使得ZnO在紫外光发射器件方面具有显著优势，有望实现低阈值的紫外激光发射，在生物医学检测