基本信息
文件名称：氮化镓半导体技术解析.pptx
文件大小：7.64 MB
总页数：27 页
更新时间：2025-10-13
总字数：约5.62千字
文档摘要
氮化镓半导体技术解析材料特性与应用前景探索汇报人:
目录氮化镓技术概述01材料结构与原理02制备工艺03器件类型与应用04技术优势与挑战05未来发展趋势06
01氮化镓技术概述
定义与特性氮化镓半导体基础定义氮化镓（GaN）是一种第三代宽禁带半导体材料，由镓和氮元素化合而成，具有高击穿电场、高电子饱和速率等特性，广泛应用于高频、高功率电子器件领域。宽禁带半导体的核心优势与传统硅基半导体相比，氮化镓的禁带宽度达3.4eV，使其具备更高的工作温度耐受性、更低导通损耗及更高能量转换效率，显著提升器件性能极限。高频特性与功率密度突破氮化镓的电子迁移率是硅的10倍以上，支持GHz级高频操作，同时单位面