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文件名称：mos管源漏共用电流.pdf
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总页数：4 页
更新时间：2025-10-13
总字数：约3.69千字
文档摘要
mosmos管源漏共用电流
在半导体器件领域，金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）的源极与漏
极共用电流特性直接影响器件性能与电路设计。当源极和漏极在特定结构中实
现对称布局，电流路径的物理分布与载流子输运机制呈现独特规律，这种结构
常见于双向开关、模拟开关或射频电路应用场景。
MOS管源漏共用时，沟道区域的导电特性由栅极电压与源漏间电势差共同
决定。当栅极施加正向偏置电压超过阈值电压，沟道形成后，电子从源极流向
漏极的路径被激活。若源漏两端在电