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文件名称：igbt及其子器件的几种失效模式.pdf
文件大小：116.2 KB
总页数：4 页
更新时间：2025-10-13
总字数：约4.31千字
文档摘要
igbtigbt及其子器件的几种失效模式
IGBT作为电力电子领域核心器件，其可靠性直接影响设备寿命。失效模式
通常由电应力、热应力、机械应力共同作用引发，需要从器件物理结构和工作
机理层面理解。
短路失效分为静态与动态两种状态。静态短路多由制造缺陷导致，比如芯
片内部金属层存在微小裂纹，通电后裂纹处电流密度剧增形成熔断点。动态短
路常发生在器件开关瞬间，驱动信号异常导致栅极电荷积累不足，沟道未完全
形成引发局部导通。某逆变器厂商曾发现批量产品在低温启动时出现短路，最
终查明是栅极驱动电阻温漂特性不匹配导致。
过压击