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文件名称：bandgap中运放的设计要求.pdf
文件大小：111.45 KB
总页数：4 页
更新时间：2025-10-13
总字数：约3.34千字
文档摘要
bandgapbandgap中运放的设计要求
Bipolar工艺中设计工艺中设计bandgap电路的运放时，需要在电源抑制比和增益特性
间找到折中点。CMOS工艺的运放则要优先应对宽摆幅与低压供电的双重约束。
输入级常用共源共栅结构来提升输入信号的范围，而三级输出架构需要特别注
意相位余量是否满足系统稳定的关键指标。
典型五晶体管运放在100Hz100Hz的低频应用场景中，建议控制噪声系数不超过
80μVsqrt(Hz)。斩波稳定技术能有效抑制CMRR指