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igbt的ce之间并联电阻电容的作用之间并联电阻电容的作用

在IGBT的集电极（C）和发射极（E

优化设计。这种设计主要针对IGBT

下从多个维度展开分析：

电压尖峰抑制

IGBT关断瞬间，线路寄生电感会导致CE两端产生电压尖峰。并联RC

容反复充放电引发震荡。例如某变频器应用中，CE间并联的RC将关断电压尖峰从1200V抑制至

950V以下。

动态均压作用

多个IGBT串联工作时，并联RC

电阻确保各支路阻抗平衡。某高压直流输电系统中，12个IGBT串联模块通过RC

差控制在±3%以内。