808nm半导体功率放大激光器增透膜：材料、制备与性能优化

一、引言

1.1研究背景与意义

在光电子领域，半导体激光器凭借其体积小、重量轻、电光转换效率高、可靠性强、寿命长及成本低等显著优点，自诞生以来便在众多领域得到广泛应用。其中，808nm半导体功率放大激光器更是凭借独特优势占据着极为重要的地位。从发展历程来看，早在1963年就有人提出用波长在800-900nm之间的半导体激光发射器件作为固体激光器介质泵浦源的设想。到了八十年代，随着高功率激光二极管及其列阵的发展，特别是MBE（分子束外延）、MOCVD（金属有机化学气相沉积）生长技术和量子阱、应变量子阱机构的采用，单个激