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文档摘要

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氧化锌单晶光谱特性及激光辐照影响的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广阔领域中，氧化锌（ZnO）单晶凭借其独特的物理性质，占据着极为重要的地位。ZnO是一种直接带隙宽禁带半导体材料，室温下其禁带宽度约为3.37eV，激子结合能高达60meV。这种特性使得ZnO在室温下能够实现高效的激子复合发光，在光电器件应用方面展现出巨大的潜力。例如，在紫外光电器件领域，基于ZnO的紫外探测器可对紫外光产生高灵敏度的响应，快速准确地探测到紫外光信号，在环境监测、安防等领域有着重要应用；紫外发光二极管（LED）则能高效地发出紫外光，可用于杀菌消毒、光催化等领域。