界面优化对AlGaN/GaNMIS-HEMT器件性能的影响及提升策略研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体器件的发展历程中，AlGaN/GaNMIS-HEMT（金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管）器件凭借其卓越的性能优势，已逐渐成为半导体领域的研究焦点与关键支撑。随着科技的迅猛发展，对半导体器件的性能要求日益严苛，不仅期望其具备更高的电子迁移率、更大的电流密度和更强的耐压能力，还要求在高频、高温、大功率等极端条件下能够稳定可靠地工作。AlGaN/GaNMIS-HEMT器件因其独特的结构和优异的材料特性，在满足这些需求方面展现出巨大的潜力，从而在射频、微