基本信息

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文档摘要

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基于第一性原理探究单层二硫化钼复合体系的结构与性能

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学的蓬勃发展进程中，二维材料凭借其独特的原子结构和优异的物理性质，成为了科研领域的焦点之一。单层二硫化钼（MoS?）作为典型的二维过渡金属硫族化合物，由两层硫原子夹着一层钼原子通过共价键紧密结合形成稳定的夹心层结构，层与层之间则依靠较弱的范德华力相互作用。这种特殊的结构赋予了单层MoS?诸多卓越特性。在电学方面，它是一种直接带隙半导体，带隙约为1.8eV，这一特性使其在半导体器件应用中展现出巨大潜力，有望为解决传统硅基半导体面临的尺寸缩小极限等问题提供新的方案，推动集成电路向更小尺寸、更低功