Fe/In/Fe三层薄膜磁电阻效应：机制、特性与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科学技术的迅猛发展进程中，磁电阻效应的研究始终占据着凝聚态物理与材料科学领域的关键位置。磁电阻效应，作为一种当对通电的金属或半导体施加磁场时，其电阻值会发生显著变化的现象，自1856年被威廉?汤姆森（即后来的开尔文爵士）发现以来，历经了漫长而深入的探索阶段。早期发现的正常磁电阻（OMR）效应，在一般材料中电阻变化通常小于5%，并未引起广泛关注。然而，1988年法国巴黎大学AlbertFert教授研究组在分子束外延制备的Fe/Cr多层膜中发现巨磁电阻（GMR）效应，其磁电阻变化率