突破存储瓶颈：NANDFlash控制模块性能优化技术的深度剖析与实践

一、引言

1.1研究背景与意义

在数字化信息爆炸的时代，数据存储的需求呈指数级增长，从个人电子设备到大型数据中心，存储系统的性能和容量成为关键因素。NANDFlash作为一种非易失性存储技术，凭借其高存储密度、低单位成本以及相对快速的读写速度，在现代存储系统中占据了重要地位，被广泛应用于固态硬盘（SSD）、USB闪存驱动器、移动设备等领域。

NANDFlash控制模块作为连接主机与NANDFlash存储芯片的关键桥梁，负责管理和控制NANDFlash颗粒的数据读写、错误纠正、耗损平衡、坏块映射、读写