基于第一性原理的CdX（X=S,Se,Te）半导体体材料及纳米线应变效应深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

半导体材料作为现代信息技术的核心基础，在电子学、光电子学以及能源等众多领域都发挥着极为关键的作用。CdX（X=S，Se，Te）半导体凭借其独特的物理性质，如合适的带隙、较高的光吸收系数等，在太阳能电池、发光二极管、光电探测器等光电器件的应用中展现出巨大的潜力，受到了科研人员的广泛关注。

随着科技的迅猛发展，对半导体器件性能的要求日益提高。通过引入应变来调控半导体材料的性能，成为了当前半导体物理和材料科学领域的研究热点之一。应变能够改变半导体的晶格结构，进而对其电子性质和光学性质产