2、三极管的主要极限参数1.ICM—集电极最大允许电流，超过时?值明显降低。2.PCM—集电极最大允许功率损耗PC=iC?uCE。iCICMU(BR)CEOuCEPCMOICEO安全工作区U(BR)CBO—发射极开路时C、B极间反向击穿电压。3.U(BR)CEO—基极开路时C、E极间反向击穿电压。U(BR)EBO—集电极极开路时E、B极间反向击穿电压。U(BR)CBOU(BR)CEOU(BR)EBO第61页，共92页，星期日，2025年，2月5日*2.3.4温度对BJT特性曲线的影响1.温度升高，输入特性曲线向左移。温度每升高1?C，UBE?(2?2.5)mV。温度每升高10?C，ICBO约增大1倍。OT2T1第62页，共92页，星期日，2025年，2月5日2.温度升高，输出特性曲线向上移。iCuCET1iB=0T2iB=0iB=0温度每升高1?C，??(0.5?1)%。输出特性曲线间距增大。O第63页，共92页，星期日，2025年，2月5日2.4场效应管引言2.4.1场效应管的结构、类型2.4.3场效应管的特性曲线2.4.2场效应管的工作原理2.4.4场效应管的符号表示及主要参数第64页，共92页，星期日，2025年，2月5日引言场效应管FET(FieldEffectTransistor)类型：结型JFET(JunctionFieldEffectTransistor)绝缘栅型IGFET(InsulatedGateFET)第65页，共92页，星期日，2025年，2月5日特点：1.单极性器件(每个FET中只有一种载流子导电)3.工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低2.输入电阻高(107?1015?，IGFET可高达1015?)第66页，共92页，星期日，2025年，2月5日N沟道JFETP沟道JFET2.4.1场效应管的结构、类型第67页，共92页，星期日，2025年，2月5日OtuO/V0.7Otui/V2?0.7第29页，共92页，星期日，2025年，2月5日练习：已知ui=4sin?t(V)，二极管为理想二极管，画出uo的波形。第30页，共92页，星期日，2025年，2月5日2.钳位：利用二极管将信号“钳制”在不同的直流电位utut第31页，共92页，星期日，2025年，2月5日2.2.6稳压、发光、光电、变容二极管简介伏安特性符号工作条件：反向击穿iZ/mAuZ/VO?UZ?IZmin?IZmax?UZ?IZ?IZ1、稳压二极管第32页，共92页，星期日，2025年，2月5日主要参数1）稳定电压UZ流过规定电流时稳压管两端的反向电压值。2）稳定电流IZ越大稳压效果越好，小于Imin时不稳压。3）最大工作电流IZM最大耗散功率PZMPZM=UZIZM4）动态电阻rZrZ=?UZ/?IZ越小稳压效果越好。几??几十?第33页，共92页，星期日，2025年，2月5日符号和特性工作条件：正向偏置一般工作电流几十mA，导通电压(1?2)V符号u/Vi/mAO2特性2、发光二极管LED(LightEmittingDiode)第34页，共92页，星期日，2025年，2月5日实物照片第35页，共92页，星期日，2025年，2月5日3.光敏二极管1．符号和特性符号特性uiO暗电流E=200lxE=400lx工作条件：反向偏置2.主要参数电学参数：暗电流，光电流，最高工作范围光学参数：光谱范围，灵敏度，峰值波长实物照片第36页，共92页，星期日，2025年，2月5日4.变容二极管特点：结电容随反向电压的增加而减少符号应