探秘GaN在THz波段介电性质与铁氮化合物制备及性能：材料科学新视野

一、引言

1.1研究背景

在当今科技飞速发展的时代，材料科学作为基础学科，对于推动各个领域的技术进步起着至关重要的作用。其中，半导体材料和磁性材料的研究一直是材料科学领域的热点。

氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的代表，以其宽禁带宽度、高击穿电场、较高的热导率、耐腐蚀以及抗辐射等优异特性，在光电子器件和电力电子器件领域展现出巨大的应用潜力。在光电子领域，基于GaN材料的蓝光发光二极管（LED）的发明，为实现高效节能的照明技术带来了革命性的变化，使得白光LED照明得以广泛应用，极大地改变了人们的生活方式；在电力