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文件名称:探索GaN基薄膜半导体与稀土掺杂发光材料的非线性光学奥秘与应用前景.docx
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更新时间:2025-10-16
总字数:约2.09万字
文档摘要
探索GaN基薄膜半导体与稀土掺杂发光材料的非线性光学奥秘与应用前景
一、引言
1.1研究背景与意义
随着光电子技术的飞速发展,对高性能光电材料的需求日益增长。GaN基薄膜半导体和稀土掺杂发光材料作为两类重要的光电材料,在光电子领域展现出巨大的应用潜力。
GaN基薄膜半导体材料,凭借其宽禁带、高电子迁移率、高热导率等优异特性,在光电器件如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、光探测器(PD)以及高频、大功率电子器件等方面有着广泛应用。在蓝光LED中,GaN基材料的应用实现了高效的蓝光发射,为白光照明和全彩显示技术奠定了基础。其在高功率电子器件中的应用,能够满足5G通信、新能