真空喷涂TiO?纳米粒子及其有机复合薄膜阻变特性的深度剖析与应用展望

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，对存储技术的要求日益提高。阻变存储器（RRAM）因其具有结构简单、读写速度快、功耗低、存储密度高以及与CMOS工艺兼容性良好等诸多优势，被视为极具潜力的下一代非易失性存储技术，吸引了众多科研人员的关注与研究。在阻变存储领域中，寻找性能优良的阻变材料是实现高性能RRAM的关键所在。

TiO?作为一种重要的过渡金属氧化物半导体材料，具备化学性质稳定、成本低廉、无毒无害以及来源广泛等显著优点，在光催化、传感器、太阳能电池以及电子器件等多个领域都展现出了广泛的应用前