Cu掺杂GaN体系的磁性和结构相变：基于第一性原理的深入剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代科技的飞速发展，半导体材料在各个领域的应用愈发广泛，其性能的优化与改进也成为了研究的重点。氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的代表，凭借其宽禁带宽度、高击穿电场、高电子迁移率和饱和速度以及良好的热稳定性等优异特性，在光电子器件、高频大功率器件和电力电子器件等领域展现出了巨大的应用潜力。例如，在光电子领域，GaN基蓝光发光二极管（LED）的发明填补了蓝色光源的空白，推动了照明技术的革新，实现了全彩色显示和高效节能照明；在高频通信领域，基于GaN的射频器件能够在更高的频率下工作，显著提