基本信息
文件名称：光刻工艺流程题库及答案.doc
文件大小：27.56 KB
总页数：10 页
更新时间：2025-10-16
总字数：约4.53千字
文档摘要
光刻工艺流程题库及答案
一、单项选择题（每题2分，共10题）
1.光刻工艺中，光刻胶的作用是（）
A.保护晶圆表面B.提供图形转移C.增强晶圆导电性D.清洗晶圆
2.光刻工艺的第一步通常是（）
A.涂胶B.曝光C.显影D.烘烤
3.紫外线曝光中，常用的光源波长是（）
A.200nmB.365nmC.500nmD.630nm
4.光刻胶的分辨率主要取决于（）
A.光刻胶厚度B.曝光能量C.光刻胶种类D.显影时间
5.光刻工艺中，显影的目的是（）
A.去除未曝光的光刻胶