多横模垂直腔面发射激光器模式与波长特性的深度剖析与前沿探索

一、引言

1.1研究背景与意义

垂直腔面发射激光器（VerticalCavitySurfaceEmittingLaser，VCSEL）作为一种在与半导体外延片垂直方向上形成光学谐振腔、发出的激光束与衬底表面垂直的半导体激光器，自1979年由日本东京工业大学的K.Iga提出概念以来，凭借其独特的结构和优异的性能，在光电子领域中占据了重要地位。与传统的边发射激光器相比，VCSEL具有诸多显著优势，其尺寸小、功耗低，能够实现二维面阵集成，极大地提高了集成度和应用范围；圆形对称的光束分布使其与光纤的耦合效率大幅提升，在