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文件名称:探索GaN基LED器件电学性能:解锁纳米光电器件的创新密码.docx
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更新时间:2025-10-17
总字数:约3.08万字
文档摘要

探索GaN基LED器件电学性能:解锁纳米光电器件的创新密码

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电子领域,氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)器件和纳米光电器件占据着极为关键的地位。随着科技的迅猛发展,人们对光电器件的性能要求不断提高,GaN基LED器件凭借其独特的优势,成为了照明、显示、通信等众多领域的核心元件。而纳米光电器件,由于其在纳米尺度下展现出的量子尺寸效应、表面效应和小尺寸效应等特性,为光电子技术的发展开辟了新的道路。

GaN基LED器件以其高亮度、高效率、长寿命和环保等特点,在照明领域掀起了一场革命。传统的照明光源如白炽灯和荧光灯,存在着能耗高、寿命短和含有