辅助磁场约束下非平衡磁控溅射等离子体放电特性的深度剖析与优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料表面工程领域，薄膜制备技术扮演着举足轻重的角色，其中磁控溅射技术凭借诸多独特优势，成为目前应用最为广泛的物理气相沉积技术之一。磁控溅射技术利用磁场与电场的相互作用，使氩离子在靶材表面产生溅射，将靶材原子或分子沉积到基片上形成薄膜。该技术具有高沉积速率、薄膜纯度高、膜层均匀性好等显著特点，在半导体、光学、磁学、超导、能源和生物医学等众多领域都有着不可或缺的应用。

随着现代科技的飞速发展，对薄膜材料的性能和质量提出了越来越高的要求，传统的磁控溅射技术在某些方面逐渐难以满足这些需求。非平衡磁控溅