溶液法构筑ZnO基薄膜及其在阻变存储器中的性能与机制研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息时代，电子设备的飞速发展对电子材料和存储技术提出了日益严苛的要求。ZnO基薄膜作为一种极具潜力的半导体材料，凭借其独特的物理性质，在光电子学、传感器、透明导电薄膜等众多领域展现出了广阔的应用前景，吸引了众多科研人员的关注。

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV。这种特性使得ZnO在室温下就能够实现高效的紫外激子发光和激光，因此成为制作短波长发光器件以及紫外探测器的理想材料。同时，ZnO还具备高熔点（197