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文件名称:锑掺杂二氧化锡多孔导电材料:制备、表征与性能优化探究.docx
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总页数:15 页
更新时间:2025-10-18
总字数:约1.9万字
文档摘要
锑掺杂二氧化锡多孔导电材料:制备、表征与性能优化探究
一、引言
1.1研究背景与意义
二氧化锡(SnO_2)作为一种重要的氧化物半导体材料,凭借其独特的物理和化学性质,在众多领域展现出了广泛的应用潜力。在光催化领域,SnO_2能够利用光能激发电子-空穴对,从而驱动一系列氧化还原反应,实现对有机污染物的降解,为环境保护提供了新的解决方案。在电池领域,SnO_2因其理论比容量较高,被视为极具潜力的电极材料,有望提升电池的能量密度和充放电性能,推动电池技术的发展。在传感器领域,SnO_2对特定气体具有敏感的吸附和反应特性,能够通过电阻变化等方式实现对气体的快速、准确检测,在环境监测、工业安