Ⅱ-Ⅵ族（ZnO、CdSe）纳米材料的合成策略与光电探测应用前沿探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着纳米科技的迅猛发展，纳米材料因其独特的物理化学性质成为材料科学领域的研究热点。Ⅱ-Ⅵ族纳米材料作为其中的重要成员，由于其特殊的晶体结构和电子能带结构，展现出优异的光电性能，在光电器件、生物医学、能源等众多领域具有广阔的应用前景。

Ⅱ-Ⅵ族纳米材料，如ZnO和CdSe，具有许多独特的性质。ZnO是一种宽带隙半导体材料，室温下带隙宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，这使得它在紫外光发射和探测方面具有巨大潜力，有望用于制备高性能的紫外激光器、紫外发光二极管和紫外光电