Sb?E?（E=S,Se）微纳米材料：合成、调控与性能的多维度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，半导体材料作为现代信息技术的基石，对各个领域的创新和进步起到了至关重要的作用。从日常生活中的电子设备到高端科技领域的前沿研究，半导体材料无处不在，其性能的优劣直接影响着相关技术的发展水平和应用前景。在众多半导体材料中，Sb?E?（E=S,Se）微纳米材料凭借其独特的物理性质和潜在的应用价值，逐渐成为材料科学领域的研究热点之一。

Sb?E?微纳米材料属于硫属化合物半导体家族，具有多种优异的物理特性。其中，较为突出的是其宽带隙和高载流子迁移率。宽带隙特性使得Sb?E?在