基本信息
文件名称:氧化锆在980nm垂直腔面发射半导体激光器增透膜中的应用与性能优化研究.docx
文件大小:26.89 KB
总页数:16 页
更新时间:2025-10-18
总字数:约1.97万字
文档摘要
氧化锆在980nm垂直腔面发射半导体激光器增透膜中的应用与性能优化研究
一、引言
1.1研究背景与意义
在光电子领域中,半导体激光器扮演着举足轻重的角色,而垂直腔面发射半导体激光器(Vertical-CavitySurface-EmittingLaser,VCSEL)作为其中的重要分支,以其独特的结构和优异的性能特点,在众多领域展现出了巨大的应用潜力。980nmVCSEL更是凭借其特定的波长优势,在多个关键领域发挥着不可替代的作用。
在光通信领域,随着数据流量的爆发式增长,对高速、大容量的光通信系统的需求日益迫切。980nmVCSEL作为光通信系统中的关键光源,能够实现高速的数据