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文件名称:铬掺杂氧化锌烯磁半导体薄膜:制备工艺、结构表征与磁性机理探究.docx
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总页数:14 页
更新时间:2025-10-19
总字数:约1.75万字
文档摘要
铬掺杂氧化锌烯磁半导体薄膜:制备工艺、结构表征与磁性机理探究
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代材料科学与信息技术飞速发展的大背景下,稀磁半导体(DilutedMagneticSemiconductors,DMS)作为一种新型的功能材料,因其独特地融合了半导体的电学、光学特性与磁性材料的磁学特性,即在一种材料中同时应用电子电荷和自旋两种自由度,而备受瞩目,成为材料领域的研究热点之一。从实际应用角度来看,以半导体材料为基础构建的大规模集成电路,在信息处理和传输领域展现出空前的规模和高频率性能,充分利用了电子的电荷属性;而信息存储领域,如磁带、光盘、硬盘等,则主要依赖磁性材料,极大地发