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氮化镓失效模式

氮化镓作为第三代半导体材料，在电子器件中应用广泛，但实际使用中可

能出现多种失效问题。了解失效模式对提升器件可靠性意义重大，下面从不同

角度拆解常见失效类型、成因及应对思路。

热失效是氮化镓器件常见问题，高温环境导致材料性能下降。当芯片结温

超过150℃时，载流子迁移率降低，导通电阻上升，长期高温还会引发材料热

膨胀系数差异，界面处产生微裂纹。某厂商生产的快充适配器曾因散热设计缺

陷，连续满载工作后出现热击穿。解决方案需优化散热结构，采用高导热基板

材料，搭配温度传感器实时监控。