基本信息

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文档摘要

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基于光发射谱的非晶硅锗材料及太阳电池优化制备研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在全球能源需求持续增长以及环境问题日益严峻的背景下，开发清洁、可再生的能源成为当务之急。太阳能作为一种取之不尽、用之不竭的清洁能源，其利用技术的发展对于缓解能源危机和减少环境污染具有重大意义。太阳能电池作为将太阳能转化为电能的关键器件，近年来受到了广泛的关注和深入的研究。

非晶硅锗（a-SiGe）材料作为一种重要的半导体材料，在太阳能电池领域展现出了巨大的潜力。它具有带隙可在一定范围内连续调节的特性，通过改变锗（Ge）的含量，可以使材料的带隙在1.0-1.7eV之间变化，这使得非晶硅锗能够更好地匹