用于无掩膜加工的介质阻挡微放电器阵列：制作工艺与性能深度剖析

一、绪论

1.1研究背景与意义

在现代半导体制造和微机电系统（MEMS）等领域，微纳加工技术是推动其不断发展的核心力量。随着电子产品向小型化、高性能化方向发展，对微纳加工的精度、效率以及灵活性提出了更高的要求。传统的光刻技术依赖于掩膜版，掩膜版的制作不仅成本高昂，而且制作周期长，一旦设计出现变更，需要重新制作掩膜版，这极大地限制了产品的研发速度和生产效率。据统计，在半导体芯片制造过程中，掩膜版的成本可占总成本的30%-50%，对于先进制程的芯片，这一比例甚至更高。因此，无掩膜加工技术作为一种能够有效解决传统光刻技术弊端的新