高铟组分InGaN薄膜的MOCVD外延生长：机理、特性与应用前景

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，光电子领域已成为推动现代社会进步的关键力量之一。在众多光电子材料中，高铟组分InGaN薄膜凭借其独特的物理性质，在发光二极管（LED）、激光器等光电器件中展现出巨大的应用潜力，成为了研究的焦点。

在LED领域，高铟组分InGaN薄膜具有重要作用。一般来说，InGaN量子阱中铟（In）含量越高，LED发光波长越长。通过精确控制InGaN薄膜中的铟组分，能够实现从蓝光到绿光、黄光乃至红光等不同波长的发光，这为全彩显示和照明等应用提供了基础。在全彩Micro