金属纳米晶电荷俘获型存储单元：制备工艺与存储效应的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，数据量呈爆炸式增长，对存储技术的要求也越来越高。传统的浮栅型存储器作为目前广泛应用的存储技术，在过去几十年中取得了巨大的成功，推动了计算机、移动设备等众多领域的发展。然而，随着技术节点不断缩小，传统浮栅型存储器逐渐面临诸多挑战。

在尺寸微缩方面，当器件尺寸减小到一定程度，如45nm、32nm技术节点时，隧穿层厚度接近物理极限。这使得隧穿氧化层上的微小缺陷都可能形成致命的放电通道，导致电荷泄露问题日益严重，严重影响了存储器的稳定性和可靠性。与此同时，为了保证足够的存储容量，