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文件名称:CaBi?Nb?O?薄膜:中低温制备工艺与电学性能的深度剖析.docx
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更新时间:2025-10-23
总字数:约2.25万字
文档摘要

CaBi?Nb?O?薄膜:中低温制备工艺与电学性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子技术飞速发展的背景下,新型电子材料的研发与应用成为推动科技进步的关键因素之一。CaBi?Nb?O?薄膜作为一种具有独特晶体结构和优异电学性能的材料,在电子领域展现出了巨大的应用潜力,吸引了众多科研人员的关注。

CaBi?Nb?O?属于铋层状结构化合物,其晶体结构由类钙钛矿层[(CaNb?O?)2?]和铋氧层[(Bi?O?)2?]交替排列而成。这种特殊的层状结构赋予了CaBi?Nb?O?薄膜一系列优异的性能,如较高的居里温度、良好的铁电性能、压电性能以及热释电性能等。这些性能使得